一、产品整体概述EG2113D 为单通道 N‑MOS 半桥栅极驱动SOP‑16 / SOW‑16 封装无内置功率管外接 N 沟 MOS/IGBT高端 VB 悬浮耐压600VVCC 供电10‑20V典型 15V图腾柱输出拉 / 灌均 2AHIN、LIN 双双高电平有效内置硬件死区、桥臂互锁闭锁增加独立SD 硬件关断引脚高电平有效强制关闭 HO、LOHIN、LIN 内置 200kΩ 下拉输入悬空输出关闭静态电流典型 50μA最高开关频率 500kHz适合正弦 / 方波逆变器、无刷 BLDC 电机、变频水泵、高压 D 类音频功放。版本对比相比 SOP‑8 系列半桥驱动该芯片为 SOP‑16 封装多出 SD 全局关断引脚VSS 信号地、COM 功率地引脚分离驱动电流 2A/2A带 VCCVB 双欠压保护。二、五大核心差异化硬件优势‑600V 高压自举悬浮半桥驱动大驱动能力母线最高耐压 600VVCC 工作区间 10‑20V拉电流 2A、灌电流 2A适配大栅电荷 MOS 与 IGBT需要外接自举二极管 自举电容3.3V/5V MCU 可直接驱动输入逻辑高阈值 3.0V。‑VCC 与 VB 双路独立欠压锁存保护VCC 开启 8.4V / 关断 8.0VVB 悬浮电源开启 8.6V / 关断 8.2V任意一路欠压直接关断输出避免 MOS 驱动电压不足造成管子不完全导通过热损坏。‑硬件死区 桥臂互锁外加 SD 硬件全局关断硬件死区 50‑250ns典型 130nsHIN、LIN 同时高或者同时低HO、LO 强制全部关断硬件防止桥臂直通SD 引脚高电平可以直接强制关闭两路输出做系统紧急关断HIN/LIN 内置 200kΩ 下拉输入悬空输出关闭规避 IO 浮空误导通。‑信号地 VSS、功率地 COM 引脚独立分开把逻辑信号地与驱动功率地物理分开便于 PCB 分割模拟小信号与功率驱动回路降低地弹噪声干扰。‑SOP‑16 / SOW‑16 两种封装兼容引脚定义完全一致SOW‑16 为宽体版本散热性能更好外围仅 VCC 旁路电容、自举回路、栅极电阻。三、内置功能与重要限制✅内置功能自举悬浮电平位移必须外接自举二极管VCCVB 双路独立欠压锁存保护硬件死区、桥臂互锁闭锁SD 硬件高电平全局关断引脚HIN、LIN 内置 200kΩ 下拉输入悬空输出关闭输入脉冲滤波抑制尖峰干扰VSS 信号地、COM 功率地分离。⚠️重要限制仅栅极驱动无内置 MOS功率管全部外置HIN、LIN 双双高有效不可直接替换 LIN 低有效驱动芯片无芯片内置过温、无硬件过流保护MOS 故障需要外部采样 MCU 处理无 nFAULT 故障输出引脚故障直接关断输出。四、引脚功能定义SOP‑16 / SOW‑16表格引脚号引脚名I/O功能简述1LOO低端 MOS 栅极驱动输出2COMGND驱动功率地3VCCPower芯片供电 10‑20V就近 0.1μF 高频旁路电容6VSO高端悬浮参考点半桥中点7VBPower高端悬浮自举电源接外部自举二极管阴极、自举电容8HOO高端 MOS 栅极驱动输出12HINI高端输入高电平有效内置 200kΩ 下拉13SDI硬件关断高电平强制关闭 HO、LO 输出14LINI低端输入高电平有效内置 200kΩ 下拉15VSSGND芯片信号逻辑地4,5,9,10,11,16NC‑空脚悬空输入输出逻辑真值表 | HIN | LIN | SD | HO | LO | 工作状态 | |---|---|---|---|---|---| | X | X | 1 | 0 | 0 | SD 硬件关断全部关闭 | | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 全部关断 | | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 | 仅下管导通 | | 1 | 0 | 0 | 1 | 0 | 仅上管导通 | | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 互锁保护全部关断防止桥臂直通 |五、外围元器件标准化选型规范VCC 旁路电容VCC‑COM 之间 0.1μF 高频陶瓷电容紧贴引脚。自举回路VB‑VS 接自举电容VB 外接耐压≥600V 快恢复自举二极管至 VCC电容根据 MOS 栅电荷 Qg、工作频率选型。栅极电阻 RgHO、LO 输出串联栅极电阻靠近 MOS 栅极抑制栅极振荡振铃。功率器件外接 N 沟道 MOS/IGBT 组成半桥拓扑母线最高 600V。SD 引脚可由 MCU IO 控制做紧急关断不用时拉低。MCU 逻辑HIN、LIN 双双高有效输入高电平≥3.0V。六、PCB 布线硬性规范VCC 旁路电容紧贴 VCC‑COM 引脚。外部自举二极管、自举电容紧靠 VB、VS 引脚缩短悬浮回路减小寄生电感。HO、LO 栅极驱动走线尽量短栅极电阻靠近 MOS 管栅极减小栅极环路抑制高频振铃。VS 为 600V 高压桥臂中点走线远离 HIN/LIN/SD 逻辑信号线避免高压噪声耦合误触发。VSS 信号地与 COM 功率地单点汇合分开模拟小信号和功率驱动回路降低地弹噪声。七、主流应用场景600V 以内半桥拓扑正弦波 / 方波逆变器、无刷 BLDC 电机驱动器、变频水泵、电动车控制器、高压 Class‑D 音频功放。