gmid设计方法学习笔记gmid设计方法与传统方法比较随着制程的进步,短沟道效应再MOSFET器件中愈发明显,导致传统方法设计电路性能与预期相差较大,故提出使用gmid设计方法.gmid设计方法更加简洁,考虑变量较少gmid设计方法介绍gmid设计方法之所以好用,是因为gmid可以充当各个变量间的枢纽,例如过驱动电压Vov,本征增益Av,频率特性FT等,因此可以串联各个变量.例如通过下面的公式可以看出gmoverid与Vov的关系,实际上设计gmoverid就是设计Vov.gmID2VOV \frac{g_m}{I_D} \frac{2}{V_{OV}}ID​gm​​VOV​2​gmid设计步骤由于笔者看过许多相关资料,但感觉很多资料总是有些地方没有介绍清楚,尤其是L的选取,所以根据自己的理解对步骤进行了修改根据Av公式给放大管选择合适L(笔者加的,因为很多教学都没有说如何找L)决定放大器的gm给他MOS管选择合适的L选择gmoverid计算电流根据电流查找w准备在开始设计之前,我们需要准备几张图片,分别是nmos与pmos的本征增益与gmoverid的关系,频率与gmoverid的关系,电流密度Id/w与gmoverid的关系.以nmos为例根据图片连接电路点击Launch-ADE Explorer建立一个新的maestro进行仿真进入仿真环境对左边数据进行设置如下图,右边的设置在下一张图片再点击tools-Calculator,利用Calculator添加查看的图像上图在框1中进行函数编辑,可使用框3函数进行编辑,也可直接输入,完成后点击框2的图标出现在上上图的右边框框,勾选即可仿真后显示得到两幅图片,上图是L不同长度下本征增益与gmoverid的关系,下图是L不同长度下频率与gmoverid的关系,根据要求增益与频率选择L的长度再固定L为合适值,画出Id/w与gmoverid的图像图中L为1um,W取1um,做出电流的图像pmos的图像也同理可做出.有了以上数据我们便可开始设计电路.流的图像pmos的图像也同理可做出.有了以上数据我们便可开始设计电路.学习笔记,难免有错误,欢迎大家一起交流学习