一、前言（项目存储痛点）现场项目硬性需求：设备断电重启后，保留校准参数、历史温湿度数据、通讯地址、设备ID。内置存储方案缺陷：STM32F1内部Flash仅64KB/128KB，容量不足以存储长期采集日志。内部Flash擦写寿命仅万次级别，高频采集极易损坏主控闪存。内部Flash操作复杂，需要偏移地址解锁，误操作直接卡死程序。选型方案：外置W25Q64 SPI-Flash，容量8M字节、10万次以上擦写寿命、断电永久保存，搭配软件SPI通信，无硬件SPI引脚冲突，适配全项目布线。二、W25Q64底层存储深度解析2.1 基础硬件参数通信方式：标准SPI模式0（CPOL=0 CPHA=0），完美复用前文软件SPI。存储总容量：8MB = 65536页，每页256字节。分区层级（读写核心）：整片 块(32KB) 扇区(4KB) 页(256Byte)。电气特性：断电数据永久保存，保存年限可达20年。2.2 必懂读写规则Flash铁律：只能写0，不能直接写1；改写数据必须先擦除！出厂Flash全部默认电平为0xFF(1)，写入数据仅能把1改成0；想要修改旧数据，必须提前擦除对应扇区，还原为0xFF空白区。2.3 三种擦除方式选型（项目按需选用）扇区擦除(4KB)：日常参数修改首选，速度快、破坏数据少。块擦除(32KB)：批量日志清空使用。整片擦除：出厂初始化、全部数据重置使用，耗时最长。2.4 常用指令码（硬件SPI/软件SPI通用）写使能：0x06 （每次写入前必须开启）页写入：0x02读取数据：0x03扇区擦除：0x20读取忙状态：0x05三、项目硬件架构主控：STM32F103C8T6 标准库。总线复用：共用专栏通用软件SPI总线 hspi1。引脚分配：SCK=PA13、MISO=PA14、MOSI=PA15、FLASH_CS=PA1。业务联动：SHT45采集温湿度 → SPI Flash定时存储 → 上电自动读取历史参数 → 485上传上位机、OLED本地显示。优势：和OLED共用一组SPI总线，独立片选分时通信，互不干扰。四、分层极简驱动代码（依赖前文soft_spi，零重构底层）新增文件：w25q64.h + w25q64.c，完全复用结构体软件SPI，不用改写时序代码。4.1 w25q64.h 头文件#ifndef __W25Q64_H#define __W25Q64_H#include “soft_spi.h”//Flash片选引脚#define