第二届先进半导体器件与集成技术国际学术会议ASDIT 20262026 2nd International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Integration Technology会议中文主页【IEEE出版|江南大学主办】第二届先进半导体器件与集成技术国际学术会议ASDIT 2026_艾思科蓝_学术一站式服务平台第二届先进半导体器件与集成技术国际学术会议ASDIT 2026将于2026年8月28-30日在中国江苏无锡召开。会议将为先进半导体器件与集成技术领域内的专家学者搭建一个学术交流的平台。https://ais.cn/u/ryUVJr会议官网www.asdit.org会议时间2026年8月28-30日会议地点中国-江苏-无锡截稿时间一轮延长2026年6月25日早投早审早递交发表流程【投稿】→审稿返修→录用→缴费→【注册参会】→见刊→纸质论文集→检索论文检索EI, Scopus会议简介第二届先进半导体器件与集成技术国际学术会议ASDIT 2026将于2026年8月28-30日在中国江苏无锡举办。本次会议旨在汇聚全球半导体领域的顶尖学者、行业专家和企业领袖共同探讨最新的研究成果和技术进展。会议将涵盖先进半导体器件的设计、制造、材料及其在各类应用中的创新包括人工智能、量子计算和5G通信等前沿科技。与会者将有机会参加主题演讲、专题讨论和技术展示深入了解行业动态分享前沿经验。我们诚邀全球的专家学者参与此次盛会共同推动半导体技术的进步与发展。期待与您相聚无锡共同探索未来科技的无限可能会议回顾2025先进半导体器件与集成技术国际学术会议ASDIT 2025已于2025年9月19-21日在中国江苏无锡召开会议由江南大学主办召集了国内外200余人参与学术交流。ASDIT 2025会议论文集已提交IEEE(ISBN:979-8-3315-9671-2)并完成见刊出版。主办单位江南大学承办单位江南大学集成电路学院江南大学理学院无锡市第三代半导体器件与集成技术重点实验室江南大学-康讯半导体联合实验室征稿主题不限于以下主题相关主题均可投递半导体器件集成技术新型半导体材料及其在器件中的应用高性能MOSFET设计与优化能耗效率优化的功率器件技术超越硅的III-V族化合物半导体器件微光电半导体传感器及其应用半导体激光器及其新兴应用领域石墨烯和其他二维材料器件量子点和量子阱半导体器件新型存储器器件RRAM, MRAM, FeRAM低温电子器件的挑战与机遇高频和高功率器件的突破性技术硅基光电子器件及其集成技术隧穿场效应晶体管(TFET)器件研究半导体器件的可靠性与老化机制先进封装和互连结构对器件性能的影响......三维集成电路及其制造工艺片上系统(SoC)与集成方法芯片异构集成技术封装级集成技术的发展与创新集成电路中的热管理技术射频集成电路及其设计优化人工智能与机器学习在集成电路设计中的应用先进模拟与混合信号集成电路电源管理集成电路技术集成电路设计中的可靠性与安全挑战硅光子学互连技术超大规模集成技术的最新进展新兴存储器集成技术模块化MEMS与NEMS的集成应用智能传感系统的集成与创新......投稿链接【IEEE出版|江南大学主办】第二届先进半导体器件与集成技术国际学术会议ASDIT 2026-论文投稿https://www.ais.cn/attendees/paperSubmit/AFJFBU?inviteL3783论文出版文章先经2-3位专家盲审录用的文章将会被递交给IEEE(ISBN: 979-8-3195-2163-7)出版见刊后由出版社整理提交至EI, Scopus 检索。注册费用参会方式听众|海报展示|头口汇报参会报名链接【IEEE出版|江南大学主办】第二届先进半导体器件与集成技术国际学术会议ASDIT 2026-参会报名https://www.ais.cn/attendees/toSignUp/AFJFBU?inviteL3783如有更多问题欢迎咨询~