FDMD8530L6387EAD\Test\2026\August\TestFDMD8530.SchDoc01【FDMD8530】一、背景这是一个从学生那得到的智能汽车比赛车模中的控制芯片 上面集成了很多有趣的芯片。 其中一款是我没有使用过的功率模式管 它的型号为FDMD8530。 这是一个内部集成了两个N沟道的功率模斯管芯片 它可以组成一个半桥电路。 下面通过设计一个测试电路 测试一下这款功率摩斯管它的基本特性。二、电路设计设计测试电路。 由单片机ciu32产生互补PWM输出。 为了驱动双N沟道摩斯管 前面我们使用一个半桥专用驱动芯片进行驱动。 半桥驱动芯片的型号为 L6387。 将工作电源12伏通过 AMS1117降低为5伏 给单片机提供工作电源。 铺设单面PCB 适合一分钟制板 一分钟之后得到测试电板电路板 下面焊接测试。三、测试结果焊接电路板使用高压水蒸气进行清洗之后 对电路板进行测试 给电路板施加8伏的工作电压 这样经过5伏稳压之后 单电机可以正常工作 编写单片机测试程序 使得单片机输出定时器一 第一通道的互补PWM波形。 通过示波器测量两路PWM输出互补波形 波形正常频率为734赫兹左右 这是单片机内部48兆赫兹时钟频率 经过65536分音频之后对应的频率。使用示波器测量上升沿和下降沿PWM死区的大小。 在上升沿死区为1.3微秒。 在对应的下降沿死区仍然有1.3微秒左右。 这个死区时间对应的单片机定时器死区设置参数为0X3F。 测量半桥输出信号可以看到它对应的信号波形与我们输入电源幅度是一样的。 现在单电机工作半桥电路工作电压为12伏 输出的PWM波形的幅度可以达到12伏左右。 改变单片机PWM信号输出频率 将PWM输出频率提升16倍。 此时可以看到死区对于输出波形有着比较明显的影响 通过调整将死区的设置时间缩小4倍 输出波形中死区对应的波形下降沿影响就变小了。死区时间参数静态电路(mA)0x71100x8630x9360xa240xb180xc160xd16通过单片机定时器一的死区时间修改查看一下对于双N沟道模斯管 它上下导通的速度是否能避免直通情况。 在死区时间设置参数为0X7。 对应的死区时间大约为146纳秒。 可以看到此时整个电路的静态工作电流达到了110毫安 这说明这个死区时间太少了使得半桥上下桥臂之间存在着导通的短路电流。 逐步增加定时器一PWM死区时间设定参数。 可以看到半桥对应的电路工作电流静态电流逐步减小。 当设置参数对应为0XD 此时对应的死区时间为270纳秒。 半桥静态工作电流基本稳定在16毫安 注意这个16毫安是整个电路的工作静态电流 如果仅仅考察对应的上下桥臂MOS管导通电流应该比这个16毫安要小得多。对比一下摩斯管它本身数据手册中关于螺丝管导通与关断延迟时间 打开时间为25纳秒左右 关断时间大约为114纳秒左右。 这说明该螺丝管导通和关断之间的延迟并不相同 这样就要求在MOS管上下导通之间必须存在着死区时间。 通过前面实验可以看到 这个死区时间超过200纳秒 就能够避免上下桥臂直通的危险。※总结 ※本文测试了双n沟道模式管FDMD8530的基本特性 使用单片机产生互补PWM波形通过半桥专用驱动芯片L6387 驱动双N沟道螺丝管基本得到对应的半桥输出信号通过实验验证当死区时间超过270纳秒之后半桥输出静态电流会下降到一个比较低的数值。 避免了上下桥臂直通的危险。■ 相关文献链接:FDMD8530L6387E