NH₂-PS-PMMA是一种末端带有氨基-NH₂功能基团的聚苯乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯PS-PMMA嵌段共聚物。一、基础信息全称Amino-Polystyrene-block-Poly (methyl methacrylate) 简写NH2​−PS−b−PMMA 结构伯氨基端基 PS 聚苯乙烯嵌段 PMMA 聚甲基丙烯酸甲酯嵌段 AB 型二嵌段共聚物单端氨基活性基团无亲水 PEG 链全疏水双嵌段。链段属性PS聚苯乙烯高疏水、高 Tg、耐刻蚀PMMA可紫外降解、选择性刻蚀末端 伯氨基可与 NHS 酯、羧基发生酰胺化共价偶联。二、核心两大应用方向1. 嵌段共聚物光刻薄膜热退火形成有序纳米相分离UV 曝光后选择性刻蚀掉 PMMA 相得到 PS 纳米线、纳米孔洞模板末端氨基用于硅基底表面共价锚固实现垂直取向层状结构解决薄膜平躺问题。2. 疏水纳米颗粒表面修饰氨基作为锚定位点将 PS-b-PMMA 共价接在二氧化硅、磁珠表面 两相分离在颗粒表面构筑多孔刻蚀层制备多孔微球模板。3. 自组装薄膜与分离膜氨基修饰基材诱导嵌段垂直相分离制备高通量纳滤多孔膜。NH₂-PS-b-PMMA 是单端氨基功能化 PS-b-PMMA 嵌段共聚物。采用 ATRP 可控聚合分子量窄分布。末端伯氨基可共价锚定在硅片基底上诱导嵌段共聚物形成垂直取向的微相分离结构。 PS 耐等离子刻蚀PMMA 可紫外选择性降解去除是制备 10~30 nm 纳米图形的经典光刻材料。我们可提供多组分子量配比也可定制羧基、马来酰亚胺等其他端基型号适配半导体纳米工艺与多孔模板制备。CHO-PEG-P4VP醛基-聚乙二醇-聚4-乙烯基吡啶CHO-PEG2k-P4VP2.5kCHO-PS10k-b-P4VP5kCHO-PS20k-b-P4VP6kCHO-PS20k-b-P4VP10kCHO-PS30k-b-P4VP12kCHO-PS40k-b-P4VP15kCOOH-PEG-P4VP羧基-聚乙二醇-聚4-乙烯基吡啶COOH-PEG2k-P4VP2.5kCOOH-PS10k-b-P4VP5kCOOH-PS20k-b-P4VP6kCOOH-PS20k-b-P4VP10kCOOH-PS30k-b-P4VP12kCOOH-PS40k-b-P4VP15k