型号介绍GD25LQ80EE2GR是一款 8Mbit1MB四线串行 NOR Flash这款芯片最大辨识度就是 6mm×5mm WSON8 扁平无铅封装和同系列 3×2mm 超薄 USON8、宽窄 SOP8 形成清晰差异化定位。整体采用裸露金属焊盘底部设计焊盘面积充足一是大幅提升芯片运行散热能力高速四线持续读写、长时间擦写工况下热量快速传导至 PCB不会因积温导致读写出错、速率衰减二是焊接容错率高相比微型 USON8 更适合大批量 SMT 量产不易出现虚焊、连锡维修调试也更友好对工厂贴片工艺要求更低。主要特性输入 / 输出漏电流 ±2μA待机最大 120μA深度掉电最大 40μA读操作工作电流四线 133MHz 典型 10mA单线 80MHz 典型 3mA高低电平阈值VIL≤0.2VCCVIH≥0.7VCC输出低≤0.2V输出高≥VCC-0.2V供电 VCC-0.6~2.5V工作温度 - 40~125℃存储 - 65~150℃IO 瞬时电压-2V ~ VCC2V持续 IO 电压-0.6~VCC0.4V时钟建立 / 保持、片选建立保持最小 5ns数据输入建立保持 2ns复位等待普通复位 30μs擦除中复位最长 12ms深度掉电进入耗时≤3μs唤醒等待≤20μs应用领域网络通信小型设备工业自动化便携式电子设备相关型号GD25D20ETIGRGD25Q40CE2GRGD25Q64EQJGRGD25WD20ETIGRGD32G553CEU7GD32A508VET7GD32G553CET7GD32F303ZGT6GD32E235F8V6TRGD32E517RET6GD32E230G6U6TRGD32F350RBT6GD32F303VET6GD30MP1021GUTR-IGD30LD1002WETR-I