：Rapidus 2HP：逻辑密度237.31 MTr/mm²，与台积电N2的236.17 MTr/mm²相当；2027财年下半年量产，初期6000片/月，一年内提升至2.5万片/月High-NA EUV：NA从0.33→0.55，可分辨8nm特征，量产窗口2027-2028年，Intel 14A为首个插入点；金属氧化物光刻胶的LER与缺陷率是经济性闸门HBM4混合键合：SK海力士12层验证完成、正提升良率为量产准备，16层堆叠HBM逐步商业化落地过程中混合键合有望从2026下半年至2027年规模化导入，但成本效益仍面临挑战，MR-MUF继续并用；JEDEC放宽HBM高度至775μm，混合键合大规模普及推迟至HBM5世代三星SF2Z：2027年推出搭载背面供电技术的SF2Z版本；SF2良率已突破60%编号3805：2nm GAA纳米片沟道取向与迁移率各向异性协同模型（模型）—— 材料+设计编号类型领域问题数学分析及数学物理分析及数学化学分析（含多数学工具推理）定律/理论逐步推理的数学表达式及参数设计