7月2日讯SK海力士周四表示公司计划投资80万亿韩元约合514.6亿美元用于建设一座新的NAND闪存芯片工厂。根据目前公布的信息该新工厂预计将在2029年启动主要用于应对由AI热潮带动的存储芯片需求增长以及可能出现的供应紧张情况。NAND闪存是存储产业中的重要产品类型广泛应用于固态硬盘、移动终端、服务器存储、数据中心等场景。近年来随着AI应用、云计算和大规模数据处理需求增加市场对存储容量和数据读写性能提出了更高要求。SK海力士此次规划新的NAND产线属于其围绕存储芯片业务进行的中长期产能布局。根据在一场由公司CEO和韩国总统李在明出席的活动上公布的规划SK海力士计划于明年在韩国清州市启动新工厂M17的建设。清州是SK海力士重要的生产基地之一新项目落地后将进一步强化其在NAND制造方面的基础设施能力。不过半导体工厂从建设到投产通常需要较长周期实际产能释放仍需结合建设进度、设备导入和市场需求变化来看。除NAND工厂外SK海力士还计划再投入20万亿韩元在清州新建一座芯片封装工厂该项目预计于2027年底前完工。封装是芯片制造后段流程中的重要环节直接关系到芯片的连接、保护和性能释放。随着AI芯片、高性能计算和高带宽存储需求增加先进封装能力也逐渐成为半导体企业竞争中的重要组成部分。整体来看SK海力士此次投资规划覆盖NAND制造和芯片封装两个方向既涉及存储芯片产能扩充也涉及后段制造能力建设。该计划反映出企业对AI带动存储需求增长的判断。后续仍需关注M17工厂建设进展、封装工厂落地情况以及全球存储芯片市场供需变化。